-
Điện trở chip RFTXX-30CR6363C Điện trở RF
Mã sản phẩm RFTXX-30CR6363C Công suất 30W Điện trở XX Ω (Có thể tùy chỉnh từ 10~3000Ω) Dung sai điện trở ±5% Hệ số nhiệt độ <150ppm/℃ Chất nền BeO Phần tử điện trở Màng dày Nhiệt độ hoạt động -55 đến +150°C (Xem phần Giảm công suất) Quy trình lắp đặt được đề xuất Giảm công suất Hồ sơ hàn chảy lại Mã số linh kiện Lưu ý khi sử dụng ■ Sau khi thời gian bảo quản các linh kiện mới mua vượt quá 6 tháng, cần chú ý đến khả năng hàn trước khi sử dụng. Nên... -
Điện trở chip RFTXX-30CR2550W Điện trở RF
Mã sản phẩm RFTXX-30CR2550W Công suất 30 W Điện trở XX Ω (Có thể tùy chỉnh từ 10~3000Ω) Dung sai điện trở ±5% Hệ số nhiệt độ <150ppm/℃ Chất nền BeO Phần tử điện trở Màng dày Nhiệt độ hoạt động -55 đến +150°C (Xem phần Giảm công suất) Quy trình lắp đặt được đề xuất Giảm công suất Hồ sơ hàn chảy lại Mã số sản phẩm Lưu ý khi sử dụng ■ Sau khi thời gian bảo quản các linh kiện mới mua vượt quá 6 tháng, cần chú ý đến khả năng hàn trước khi sử dụng. Nên... -
Điện trở chip RFTXX-30CR2550TA Điện trở RF
Mã sản phẩm RFTXX-30CR2550TA Công suất 30W Điện trở XX Ω (Có thể tùy chỉnh từ 10~3000Ω) Dung sai điện trở ±5% Hệ số nhiệt độ <150ppm/℃ Chất nền BeO Phần tử điện trở Màng dày Nhiệt độ hoạt động -55 đến +150°C (Xem phần Giảm công suất) Quy trình lắp đặt được đề xuất Giảm công suất Hồ sơ hàn chảy lại Mã số linh kiện Lưu ý khi sử dụng ■ Sau khi thời gian bảo quản các linh kiện mới mua vượt quá 6 tháng, cần chú ý đến khả năng hàn trước khi sử dụng. Khuyến nghị... -
Điện trở RFTXX-30RM2006 có mặt bích
Mẫu RFTXX-30RM2006 Công suất 30 W Điện trở XX Ω (10~2000Ω có thể tùy chỉnh) Dung sai điện trở ±5% Điện dung 2.6 PF@100Ω Hệ số nhiệt độ <150ppm/℃ Lớp nền BeO Lớp phủ AL2O3 Mặt bích lắp đặt Đồng thau Dây dẫn Bạc tinh khiết 99.99% Phần tử điện trở Màng dày Nhiệt độ hoạt động -55 đến +150°C (Xem phần Giảm công suất) Bản vẽ phác thảo (Đơn vị: mm) Chiều dài dây dẫn có thể đáp ứng yêu cầu của khách hàng Dung sai kích thước: 5% trừ khi có quy định khác Đề xuất... -
Điện trở RFTXX-30RM1306
Mẫu RFTXX-30RM1306 Công suất 30 W Điện trở XX Ω (10~2000Ω có thể tùy chỉnh) Dung sai điện trở ±5% Điện dung 2.6 PF@100Ω Hệ số nhiệt độ <150ppm/℃ Lớp nền BeO Lớp phủ AL2O3 Mặt bích lắp đặt Đồng thau Dây dẫn Bạc tinh khiết 99.99% Phần tử điện trở Màng dày Nhiệt độ hoạt động -55 đến +150°C (Xem phần Giảm công suất) Bản vẽ phác thảo (Đơn vị: mm) Chiều dài dây dẫn có thể đáp ứng yêu cầu của khách hàng Dung sai kích thước: 5% trừ khi có quy định khác Đề xuất... -
Bộ cách ly mối nối kép
Bộ cách ly kép là một thiết bị thụ động thường được sử dụng trong dải tần vi sóng và sóng milimét để cách ly tín hiệu ngược từ đầu anten. Nó được cấu tạo từ cấu trúc của hai bộ cách ly. Tổn hao chèn và độ cách ly của nó thường gấp đôi so với bộ cách ly đơn. Nếu độ cách ly của bộ cách ly đơn là 20dB, thì độ cách ly của bộ cách ly kép thường có thể đạt 40dB. VSWR của cổng không thay đổi nhiều. Trong hệ thống, khi tín hiệu tần số vô tuyến được truyền từ cổng đầu vào đến mối nối vòng thứ nhất, vì một đầu của mối nối vòng thứ nhất được trang bị điện trở tần số vô tuyến, nên tín hiệu của nó chỉ có thể được truyền đến đầu vào của mối nối vòng thứ hai. Mối nối vòng thứ hai cũng tương tự như mối nối vòng thứ nhất, với các điện trở tần số vô tuyến được lắp đặt, tín hiệu sẽ được truyền đến cổng đầu ra, và độ cách ly của nó sẽ là tổng độ cách ly của hai mối nối vòng. Tín hiệu ngược trở lại từ cổng đầu ra sẽ được hấp thụ bởi điện trở tần số vô tuyến trong mối nối vòng thứ hai. Bằng cách này, mức độ cách ly cao giữa các cổng đầu vào và đầu ra được thiết lập, giúp giảm thiểu hiệu quả hiện tượng phản xạ và nhiễu trong hệ thống.
Dải tần số từ 10MHz đến 40GHz, công suất lên đến 500W.
Ứng dụng trong quân sự, không gian và thương mại.
Suy hao chèn thấp, độ cách ly cao, khả năng chịu công suất cao.
Có thể thiết kế theo yêu cầu.
-
Bộ cách ly SMT / SMD
Bộ cách ly SMD là thiết bị cách ly được sử dụng để đóng gói và lắp đặt trên PCB (bảng mạch in). Chúng được sử dụng rộng rãi trong các hệ thống truyền thông, thiết bị vi sóng, thiết bị vô tuyến và các lĩnh vực khác. Bộ cách ly SMD nhỏ gọn, nhẹ và dễ lắp đặt, phù hợp với các ứng dụng mạch tích hợp mật độ cao. Phần sau đây sẽ giới thiệu chi tiết về các đặc điểm và ứng dụng của bộ cách ly SMD. Trước hết, bộ cách ly SMD có khả năng bao phủ dải tần rộng. Chúng thường bao phủ một dải tần rộng, chẳng hạn như 400MHz-18GHz, để đáp ứng các yêu cầu tần số của các ứng dụng khác nhau. Khả năng bao phủ dải tần rộng này cho phép bộ cách ly SMD hoạt động xuất sắc trong nhiều kịch bản ứng dụng.
Dải tần số từ 200MHz đến 15GHz.
Ứng dụng trong quân sự, không gian và thương mại.
Suy hao chèn thấp, độ cách ly cao, khả năng chịu công suất cao.
Có thể thiết kế theo yêu cầu.
-
Điện trở RFTXX-20RM0904
Mẫu RFTXX-20RM0904 Công suất 20 W Điện trở XX Ω (10~3000Ω có thể tùy chỉnh) Dung sai điện trở ±5% Điện dung 1.2 PF@100Ω Hệ số nhiệt độ <150ppm/℃ Lớp nền BeO Lớp phủ AL2O3 Mặt bích lắp đặt Đồng thau Dây dẫn Bạc tinh khiết 99.99% Phần tử điện trở Màng dày Nhiệt độ hoạt động -55 đến +150°C (Xem phần Giảm công suất) Bản vẽ phác thảo (Đơn vị: mm) Chiều dài dây dẫn có thể đáp ứng yêu cầu của khách hàng Dung sai kích thước: 5% trừ khi có quy định khác Đề xuất... -
Bộ cách ly vi dải
Bộ cách ly vi dải là một thiết bị tần số vô tuyến và vi sóng được sử dụng phổ biến để truyền và cách ly tín hiệu trong mạch. Nó sử dụng công nghệ màng mỏng để tạo ra một mạch trên một lõi ferrite từ tính quay, sau đó thêm từ trường để thực hiện điều này. Việc lắp đặt bộ cách ly vi dải thường sử dụng phương pháp hàn thủ công các dải đồng hoặc hàn dây vàng. Cấu trúc của bộ cách ly vi dải rất đơn giản so với bộ cách ly đồng trục và bộ cách ly nhúng. Sự khác biệt rõ ràng nhất là không có khoang rỗng, và dây dẫn của bộ cách ly vi dải được tạo ra bằng cách sử dụng quy trình màng mỏng (phun chân không) để tạo ra mẫu thiết kế trên lõi ferrite quay. Sau khi mạ điện, dây dẫn được tạo ra được gắn vào chất nền ferrite quay. Gắn một lớp môi trường cách điện lên trên biểu đồ, và cố định từ trường trên môi trường đó. Với cấu trúc đơn giản như vậy, một bộ cách ly vi dải đã được chế tạo.
Dải tần số từ 2,7 đến 43GHz
Ứng dụng trong quân sự, không gian và thương mại.
Suy hao chèn thấp, độ cách ly cao, khả năng chịu công suất cao.
Có thể thiết kế theo yêu cầu.
-
CT-50W-FH6080-IP65-DINJ-3G DC~3.0GHz Chấm dứt điều chế xuyên thấp
Mã sản phẩm CT-50W-FH6080-IP65-DINJ-3G Dải tần số DC~3.0GHz VSWR 1.20 Max PIM3 ≥120dBc@2*33dBm Công suất 50W Trở kháng 50 Ω Loại đầu nối DIN-M (J) Chuẩn chống nước IP65 Kích thước 60×60×80mm Nhiệt độ hoạt động -55 ~ +125°C (Xem phần Giảm công suất) Màu đen Trọng lượng Khoảng 410 g Lưu ý khi sử dụng Giảm công suất Mã sản phẩm -
Điện trở RFTXX-20RM1304
Mẫu RFTXX-20RM1304 Công suất 20 W Điện trở XX Ω (10~3000Ω có thể tùy chỉnh) Dung sai điện trở ±5% Điện dung 1.2 PF@100Ω Hệ số nhiệt độ <150ppm/℃ Lớp nền BeO Lớp phủ AL2O3 Mặt bích lắp đặt Đồng thau Dây dẫn Bạc tinh khiết 99.99% Phần tử điện trở Màng dày Nhiệt độ hoạt động -55 đến +150°C (Xem phần Giảm công suất) Bản vẽ phác thảo (Đơn vị: mm) Chiều dài dây dẫn có thể đáp ứng yêu cầu của khách hàng Dung sai kích thước: 5% trừ khi có quy định khác Đề xuất... -
