-
Đầu nối mặt bích
Đầu nối mặt bích được lắp đặt ở cuối mạch, có chức năng hấp thụ tín hiệu truyền trong mạch và ngăn chặn sự phản xạ tín hiệu, từ đó ảnh hưởng đến chất lượng truyền dẫn của hệ thống mạch. Đầu nối mặt bích được lắp ráp bằng cách hàn điện trở đầu cuối một dây dẫn với mặt bích và các miếng đệm. Kích thước mặt bích thường được thiết kế dựa trên sự kết hợp giữa kích thước lỗ lắp đặt và kích thước điện trở đầu cuối. Việc tùy chỉnh cũng có thể được thực hiện theo yêu cầu sử dụng của khách hàng.
-
Bộ suy giảm tín hiệu RFTXXN-100AJ8957-3 có dây dẫn, dải tần DC~3.0GHz, dành cho tần số vô tuyến.
Mã sản phẩm RFTXXN-100AJ8957-3 (XX=Giá trị suy giảm) Trở kháng 50 Ω Dải tần DC~3.0GHz VSWR 1.20 tối đa Công suất định mức 100 W Giá trị suy giảm 13, 20, 30dB Dung sai suy giảm ±1.0dB Hệ số nhiệt độ <150ppm/℃ Vật liệu nền Sứ AlN Vật liệu chụp đèn Chì trung bình Bạc Sterling 99.99% Công nghệ điện trở Màng dày Nhiệt độ hoạt động -55 đến +150°C (Xem phần Giảm công suất) Bản vẽ phác thảo (Đơn vị: mm/inch) Chiều dài dây dẫn có thể được tùy chỉnh theo... -
Bộ suy giảm vi dải
Bộ suy giảm vi dải là thiết bị đóng vai trò làm suy giảm tín hiệu trong dải tần vi sóng. Việc chế tạo nó thành bộ suy giảm cố định được sử dụng rộng rãi trong các lĩnh vực như truyền thông vi sóng, hệ thống radar, truyền thông vệ tinh, v.v., cung cấp chức năng suy giảm tín hiệu có thể điều khiển được cho các mạch. Khác với các chip suy giảm dạng miếng dán thường dùng, chip suy giảm vi dải cần được lắp ráp vào một vỏ bọc khí có kích thước cụ thể bằng kết nối đồng trục để đạt được sự suy giảm tín hiệu từ đầu vào đến đầu ra.
Có thể thiết kế theo yêu cầu.
-
Bộ suy giảm tín hiệu RFT20N-60AM6363-6 có dây dẫn, dải tần DC~6.0GHz, dùng cho tần số vô tuyến.
Mã sản phẩm RFT20N-60AM6363-6 (XX=Giá trị suy giảm) Trở kháng 50 Ω Dải tần số DC~6.0GHz VSWR tối đa 1.25 Công suất định mức 60 W Giá trị suy giảm 20dB Dung sai suy giảm ±0.8 dB Hệ số nhiệt độ <150ppm/℃ Vật liệu nền Sứ AlN Vật liệu mũ Al2O3 Chì Bạc Sterling 99.99% Công nghệ điện trở Màng dày Nhiệt độ hoạt động -55 đến +150°C (Xem phần Giảm công suất) Bản vẽ phác thảo (Đơn vị: mm/inch) Chiều dài dây dẫn có thể được tùy chỉnh theo yêu cầu của khách hàng... -
Bộ suy giảm tín hiệu RFTXX-60AM6363B-3 có dây dẫn, dải tần DC~3.0GHz, dành cho tần số vô tuyến.
Mã sản phẩm RFTXX-60AM6363B-3 (XX=Giá trị suy giảm) Trở kháng 50 Ω Dải tần DC~3.0GHz VSWR 1.25 tối đa Công suất định mức 60 W Giá trị suy giảm 01-10dB/16dB/20dB Dung sai suy giảm ±0.6dB/±0.8dB/±1.0dB Hệ số nhiệt độ <150ppm/℃ Vật liệu nền Sứ BeO Vật liệu mũ Al2O3 Chì Bạc Sterling 99.99% Công nghệ điện trở Màng dày Nhiệt độ hoạt động -55 đến +150°C (Xem phần Giảm công suất) Bản vẽ phác thảo (Đơn vị: mm/inch) Chiều dài dây dẫn có thể được cắt... -
RFTXXA-05AM0404-3 Bộ suy giảm tín hiệu có dây DC~3.0GHz Bộ suy giảm tín hiệu RF
Mẫu RFTXXA-05AM0404-3 (XX=Giá trị suy giảm) Trở kháng 50 Ω Dải tần DC~3.0GHz VSWR 1.20 tối đa Công suất định mức 5 W Giá trị suy giảm (dB) 01-10/15, 17, 20/25，30 Dung sai suy giảm (dB) ±0.6/±0.8/±1.0 Hệ số nhiệt độ <150ppm/℃ Vật liệu nền Al2O3 Sứ Vật liệu mũ Al2O3 Chì Bạc Sterling 99.99% Công nghệ điện trở Màng dày Nhiệt độ hoạt động -55 đến +150°C (Xem phần Giảm công suất) Bản vẽ phác thảo (Đơn vị: mm/inch) Chiều dài dây dẫn ... -
Bộ tuần hoàn vi dải
Mạch tuần hoàn vi dải (Microstrip Circulator) là một thiết bị vi sóng RF thông dụng được sử dụng để truyền và cách ly tín hiệu trong mạch. Nó sử dụng công nghệ màng mỏng để tạo ra một mạch trên đỉnh của một lõi ferrite từ tính quay, sau đó thêm từ trường để thực hiện điều này. Việc lắp đặt các thiết bị vòng vi dải thường sử dụng phương pháp hàn thủ công hoặc hàn dây vàng với các dải đồng. Cấu trúc của mạch tuần hoàn vi dải rất đơn giản so với mạch tuần hoàn đồng trục và mạch tuần hoàn nhúng. Sự khác biệt rõ ràng nhất là không có khoang cộng hưởng, và dây dẫn của mạch tuần hoàn vi dải được tạo ra bằng cách sử dụng quy trình màng mỏng (phun chân không) để tạo ra mẫu thiết kế trên lõi ferrite quay. Sau khi mạ điện, dây dẫn được tạo ra được gắn vào chất nền ferrite quay. Gắn một lớp môi trường cách điện lên trên biểu đồ, và cố định từ trường trên môi trường đó. Với cấu trúc đơn giản như vậy, một mạch tuần hoàn vi dải đã được chế tạo.
Dải tần số từ 2,7 đến 40GHz.
Ứng dụng trong quân sự, không gian và thương mại.
Suy hao chèn thấp, độ cách ly cao, khả năng chịu công suất cao.
Có thể thiết kế theo yêu cầu.
-
Bộ lưu thông băng thông rộng
Bộ tuần hoàn băng thông rộng là một thành phần quan trọng trong các hệ thống truyền thông RF, cung cấp một loạt các ưu điểm khiến nó rất phù hợp cho nhiều ứng dụng khác nhau. Các bộ tuần hoàn này cung cấp vùng phủ sóng băng thông rộng, đảm bảo hiệu suất hoạt động hiệu quả trên một dải tần rộng. Với khả năng cách ly tín hiệu, chúng có thể ngăn chặn nhiễu từ các tín hiệu ngoài băng tần và duy trì tính toàn vẹn của các tín hiệu trong băng tần. Một trong những ưu điểm chính của bộ tuần hoàn băng thông rộng là hiệu suất cách ly cao tuyệt vời. Đồng thời, các thiết bị hình vòng này có đặc tính sóng đứng cổng tốt, giảm tín hiệu phản xạ và duy trì truyền tín hiệu ổn định.
Dải tần số từ 56MHz đến 40GHz, băng thông lên đến 13.5GHz.
Ứng dụng trong quân sự, không gian và thương mại.
Suy hao chèn thấp, độ cách ly cao, khả năng chịu công suất cao.
Có thể thiết kế theo yêu cầu.
-
Bộ suy giảm tín hiệu RFTXX-60CA6363B-3 dạng chip, dải tần DC~3.0GHz, dành cho tần số vô tuyến.
Mẫu RFTXX-60CA6363B-3 (XX = Giá trị suy giảm) Dải điện trở 50 Ω Dải tần số DC~3.0GHz VSWR 1.25 tối đa Công suất 60 W Giá trị suy giảm (dB) 01-10dB/11-20dB/21-30dB Dung sai suy giảm (dB) ±0.6dB/±0.8dB/±1.0dB Hệ số nhiệt độ <150ppm/℃ Vật liệu nền BeO Công nghệ điện trở Màng dày Nhiệt độ hoạt động -55 đến +150°C (Xem phần Giảm công suất) Phương pháp lắp đặt Giảm công suất Thời gian và nhiệt độ hàn chảy lại Biểu đồ P/N ... -
Bộ suy giảm tín hiệu RFTXXN-20CA5025C-3 dạng chip, dải tần DC~3.0GHz, sử dụng công nghệ suy giảm tín hiệu RF.
Mẫu RFTXXN-20CA5025C-3 (XX = Giá trị suy giảm) Dải điện trở 50 Ω Dải tần số DC~3.0GHz VSWR 1.25 tối đa Công suất 20 W Giá trị suy giảm (dB) 01-10dB/11-20dB/21-30dB Dung sai suy giảm (dB) ±0.6dB/±0.8dB/±1.0dB Hệ số nhiệt độ <150ppm/℃ Vật liệu nền AlN Công nghệ điện trở Màng dày Nhiệt độ hoạt động -55 đến +150°C (Xem phần Giảm công suất) Hiệu suất điển hình: Đồ thị 2dB Đồ thị 20dB Đồ thị 6dB Đồ thị 30dB Phương pháp lắp đặt... -
Bộ suy giảm tín hiệu RFTXXN-10CA5025C-6 dạng chip, dải tần DC~6.0GHz.
Mẫu RFTXXN-10CA5025C-6 (XX = Giá trị suy giảm) Dải điện trở 50 Ω Dải tần số DC~6.0GHz VSWR 1.25 tối đa Công suất 10 W Giá trị suy giảm (dB) 01-10dB/11-20dB Dung sai suy giảm (dB) ±0.6dB/±0.8dB Hệ số nhiệt độ <150ppm/℃ Vật liệu nền AlN Công nghệ điện trở Màng dày Nhiệt độ hoạt động -55 đến +150°C (Xem phần Giảm công suất) Hiệu suất điển hình: Đồ thị 6dB Đồ thị 20dB Phương pháp lắp đặt Giảm công suất Thời gian hàn chảy lại & ... -
Điện trở RFTXX-250RM1313K có chân cắm, điện trở RF
Mẫu RFTXX-250RM1313K Công suất 250 W Điện trở XX Ω~ (Có thể tùy chỉnh 10-1000Ω) Dung sai điện trở ±5% Điện dung 2.0 PF@100Ω Hệ số nhiệt độ <150ppm/℃ Lớp nền BeO Lớp phủ AL2O3 Chì Đồng mạ bạc Phần tử điện trở Màng dày Nhiệt độ hoạt động -55 đến +150°C (Xem phần Giảm công suất) Quy trình lắp đặt được đề xuất Giảm công suất Hồ sơ hàn lại Mã số linh kiện Lưu ý khi sử dụng ■ Sau khi thời gian lưu trữ các linh kiện mới mua vượt quá 6 tháng...
