-
Chấm dứt mặt bích
Các kết thúc mặt bích được lắp đặt ở cuối mạch, trong đó hấp thụ các tín hiệu được truyền trong mạch và ngăn chặn phản xạ tín hiệu, do đó ảnh hưởng đến chất lượng truyền của hệ thống mạch. Thiết bị đầu cuối mặt bích được lắp ráp bằng cách hàn một điện trở đầu cuối chỉ với mặt bích và bản vá. Kích thước mặt bích thường được thiết kế dựa trên sự kết hợp của các lỗ cài đặt và kích thước điện trở đầu cuối. Tùy chỉnh cũng có thể được thực hiện theo yêu cầu sử dụng của khách hàng.
-
RftXXN-100AJ8957-3 Trình suy giảm DC dẫn đầu DC ~ 3.0GHz
Mô hình rftxxn-100aj8957-3 (xx = giá trị suy giảm) trở kháng 50 dãy tần số dc ~ 3.0GHz vSWR 1.20 tối đa năng lượng đánh giá 100 W Giá trị suy giảm -55 đến +150 ° C (xem DE POWER DETIATION) Bản vẽ phác thảo (đơn vị: mm/inch) có thể được tùy chỉnh Accordi ... -
Bộ suy giảm microstrip
Bộ suy giảm microstrip là một thiết bị đóng vai trò suy giảm tín hiệu trong dải tần số vi sóng. Làm cho nó thành một bộ suy giảm cố định được sử dụng rộng rãi trong các trường như giao tiếp vi sóng, hệ thống radar, giao tiếp vệ tinh, v.v., cung cấp chức năng suy giảm tín hiệu có thể kiểm soát được cho các mạch.
Thiết kế tùy chỉnh có sẵn theo yêu cầu.
-
RFT20N-60AM6363-6 Bộ suy giảm dẫn đầu DC ~ 6.0GHz RF
Mô hình RFT20N-60AM6363-6 (xx = giá trị suy giảm) Trở kháng 50 dãy tần số DC ~ 6.0GHz VSWR 1.25 Định mức tối đa 60 W Giá trị suy giảm 20DB đến +150 ° C (xem DE POWER DETIATION) Bản vẽ phác thảo (đơn vị: mm/inch) có thể được tùy chỉnh theo Cust ... -
RFTXX-60AM6363B-3 LED DEDE
Mô hình RFTXX-60AM6363B-3 (xx = Giá trị suy giảm) Trở kháng 50 Dãy tần số dc ~ 3.0GHz VSWR 1.25 Max Power Power 60 W Giá trị suy giảm 01-10DB/16DB/20DB. Vật liệu mũ Al2O3 chì 99,99% Công nghệ điện trở bạc Sterling Nhiệt độ hoạt động của bộ phim dày -55 đến +150 ° C (xem DE POWER DETIATION) Bản vẽ phác thảo (đơn vị: mm/inch) có thể là Cu ... -
RftXXA-05AM0404-3 Trình suy giảm dẫn đầu DC ~ 3.0GHz RF suy giảm
Mô hình RFTXXA-05AM0404-3 (XX = Giá trị suy giảm) Trở kháng 50 Dãy tần số DC ~ 3.0GHz VSWR 1.20 Max Max Power 5 W Giá trị suy giảm (db) 01-10/15, 17, 20/25 Vật liệu mũ sứ Al2O3 chì 99,99% Công nghệ điện trở bạc Sterling Nhiệt độ hoạt động phim dày -55 đến +150 ° C (xem DE POWER DIATION RATING) Bản vẽ phác thảo (đơn vị: mm/inch) Chiều dài chì ... -
Bộ tuần hoàn microstrip
Bộ lưu thông microstrip là một thiết bị vi sóng RF thường được sử dụng để truyền tín hiệu và cách ly trong các mạch. Nó sử dụng công nghệ màng mỏng để tạo ra một mạch trên đỉnh của một ferrite từ tính xoay, và sau đó thêm một từ trường để đạt được nó. Việc lắp đặt các thiết bị hình khuyên microstrip thường áp dụng phương pháp hàn thủ công hoặc liên kết dây vàng với các dải đồng. Cấu trúc của các bộ tuần hoàn microstrip rất đơn giản, so với các bộ tuần hoàn đồng trục và nhúng. Sự khác biệt rõ ràng nhất là không có khoang, và dây dẫn của bộ tuần hoàn microstrip được tạo ra bằng cách sử dụng một quy trình màng mỏng (phun chân không) để tạo ra mẫu được thiết kế trên ferrite quay. Sau khi mạ điện, dây dẫn được sản xuất được gắn vào chất nền ferrite quay. Gắn một lớp môi trường cách điện trên đầu biểu đồ và sửa một từ trường trên môi trường. Với một cấu trúc đơn giản như vậy, một bộ tuần hoàn microstrip đã được chế tạo.
Phạm vi tần số 2,7 đến 40GHz.
Các ứng dụng quân sự, không gian và thương mại.
Mất chèn thấp, cách ly cao, xử lý công suất cao.
Thiết kế tùy chỉnh có sẵn theo yêu cầu.
-
Công cụ tuần hoàn băng thông rộng
Công cụ lưu hành băng thông rộng là một thành phần quan trọng trong các hệ thống truyền thông RF, cung cấp một loạt các lợi thế làm cho nó rất phù hợp cho các ứng dụng khác nhau. Các bộ tuần hoàn này cung cấp phạm vi bảo hiểm băng thông rộng, đảm bảo hiệu suất hiệu quả trên một dải tần số rộng. Với khả năng cô lập tín hiệu, họ có thể ngăn chặn sự can thiệp từ tín hiệu băng tần và duy trì tính toàn vẹn của tín hiệu băng tần. Một số lợi thế chính của bộ tuần hoàn băng rộng là hiệu suất cách ly cao tuyệt vời của chúng. Đồng thời, các thiết bị hình vòng này có đặc tính sóng đứng tốt, giảm tín hiệu phản xạ và duy trì truyền tín hiệu ổn định.
Phạm vi tần số 56 MHz đến 40GHz, BW lên đến 13,5GHz.
Các ứng dụng quân sự, không gian và thương mại.
Mất chèn thấp, cách ly cao, xử lý công suất cao.
Thiết kế tùy chỉnh có sẵn theo yêu cầu.
-
Rftxx-60CA6363B-3
Mô hình RFTXX-60CA6363B-3 (XX = Giá trị suy giảm) Phạm vi điện trở 50 Dải tần dc ~ 3.0GHz VSWR 1.25 Max Công suất 60 W Giá trị suy giảm (DB) 01-10DB/11-20DB/21-30DB <150ppm/℃ Vật liệu cơ chất Công nghệ điện trở BEO Nhiệt độ hoạt động phim dày -55 đến +150 ° C (xem DE Power DE -
RftXXN-20CA5025C-3
Mô hình RFTXXN-20CA5025C-3 (XX = Giá trị suy giảm) Phạm vi điện trở 50 Dải tần dc ~ 3.0GHz VSWR 1.25 Max Công suất 20 W Giá trị suy giảm (DB) 01-10DB/11-20DB/21-30DB <150ppm/℃ Công nghệ điện trở ALN chất liệu chất cơ chất Nhiệt độ hoạt động dày -55 đến +150 ° C (xem DE Power DET) Hiệu suất điển hình: Biểu đồ 2DB Biểu đồ 20DB Biểu đồ 6DB Phương pháp cài đặt biểu đồ 30DB ... -
RftXXN-10CA5025C-6 suy giảm chip dc ~ 6.0GHz rf suy giảm
Mô hình RFTXXN-10CA5025C-6 (XX = Giá trị suy giảm) Phạm vi điện trở 50 Dãy tần số DC ~ 6.0GHz VSWR 1.25 Max Power 10 W Giá trị suy giảm (DB) Nhiệt độ -55 đến +150 ° C (xem DE Power DEIATION) Hiệu suất điển hình: Biểu đồ 6DB Phương pháp cài đặt đồ thị 20DB Phương pháp cài đặt công suất khử thời gian hàn lại thời gian hàn & ... -
RFTXX-250RM1313K Điện trở RF dẫn đầu
Mô hình RFTXX-250RM1313K Công suất 250 W Điện trở xx Ω Hồ sơ P/N Chỉ định Sử dụng sự chú ý ■ Sau thời gian lưu trữ của các thành phần mới được mua vượt quá 6 tháng 3 ...
