các sản phẩm

Các sản phẩm

Bộ suy giảm gắn mặt bích RFTYT

Bộ suy giảm gắn kết không bích là một mạch tích hợp được sử dụng rộng rãi trong lĩnh vực điện tử, chủ yếu được sử dụng để điều chỉnh và giảm cường độ tín hiệu điện.Nó đóng một vai trò quan trọng trong giao tiếp không dây, mạch RF và các ứng dụng khác yêu cầu kiểm soát cường độ tín hiệu.

Chip suy giảm thường được chế tạo bằng cách chọn vật liệu nền thích hợp (thường là oxit nhôm, nhôm nitrit, oxit berili, v.v.) dựa trên công suất và tần số khác nhau và sử dụng các quy trình điện trở (quy trình màng dày hoặc màng mỏng).


Chi tiết sản phẩm

Thẻ sản phẩm

Tổng quan

Nguyên tắc cơ bản của Bộ suy giảm gắn không mặt bích là tiêu thụ một phần năng lượng của tín hiệu đầu vào, khiến nó tạo ra tín hiệu có cường độ thấp hơn ở đầu ra.Điều này có thể đạt được sự kiểm soát và điều chỉnh chính xác các tín hiệu trong mạch để đáp ứng các yêu cầu cụ thể.Bộ suy giảm gắn không bích có thể điều chỉnh nhiều giá trị suy giảm, thường từ vài decibel đến hàng chục decibel, để đáp ứng nhu cầu suy giảm tín hiệu trong các tình huống khác nhau.

Bộ suy giảm gắn kết không mặt bích có nhiều ứng dụng trong hệ thống truyền thông không dây.Ví dụ: trong lĩnh vực liên lạc di động, Bộ suy giảm gắn mặt bích được sử dụng để điều chỉnh công suất truyền hoặc độ nhạy thu nhằm đảm bảo khả năng thích ứng tín hiệu ở các khoảng cách và điều kiện môi trường khác nhau.Trong thiết kế mạch RF, Bộ suy giảm gắn không bích có thể được sử dụng để cân bằng cường độ tín hiệu đầu vào và đầu ra, tránh nhiễu tín hiệu cao hoặc thấp.Ngoài ra, Bộ suy giảm gắn không mặt bích được sử dụng rộng rãi trong các lĩnh vực thử nghiệm và đo lường, chẳng hạn như hiệu chỉnh thiết bị hoặc điều chỉnh mức tín hiệu.

Cần lưu ý rằng khi sử dụng Bộ suy giảm gắn mặt bích, cần phải chọn chúng dựa trên các tình huống ứng dụng cụ thể và chú ý đến dải tần hoạt động, mức tiêu thụ điện năng tối đa và các thông số tuyến tính để đảm bảo chúng hoạt động bình thường và ổn định lâu dài.

Sau nhiều năm nghiên cứu, phát triển và sản xuất điện trở và miếng đệm suy giảm, công ty chúng tôi có năng lực thiết kế và sản xuất toàn diện.Chúng tôi hoan nghênh khách hàng lựa chọn hoặc tùy chỉnh.

Bảng dữliệu

Bộ suy giảm gắn mặt bích RFTYT
Công suất định mức Dải tần số Kích thước nền Vật liệu nền Giá trị suy giảm Mẫu & Bảng dữ liệu
5W DC-3.0 GHz 4.0×4.0×1.0 BeO 01, 02, 03, 04 RFTXX-05AM0404-3G
Al2O3 05, 10, 15, 20, 25, 30 RFTXXA-05AM0404-3G
10W DC-4.0GHz 2,5×5,0×1,0 BeO 0,5, 01-04, 07, 10, 11 RFTXX-10AM2550B-4G
30W DC-6.0GHz 6,0×6,0×1,0 BeO 01-10, 15, 20, 25, 30 RFTXX-30AM0606-6G
60W DC-3.0 GHz 6,35×6,35×1,0 BeO 01-09, 16, 20 RFTXX-60AM6363B-3G
RFTXX-60AM6363C-3G
DC-6.0GHz 6,0×6,0×1,0 BeO 01-10, 15, 20, 25, 30 RFTXX-60AM0606-6G
100W DC-3.0 GHz 5,7×8,9×1,0 ALN 13, 20, 30dB RFTXXN-100AJ8957-3G
DC-3.0 GHz 5,7×8,9×1,0 ALN 13, 20, 30dB RFTXXN-100AJ8957T-3G
DC-6.0GHz 6,0×9,0×1,0 BeO 01-10, 15, 20, 25, 30 RFTXX-100AM0906-6G
150W DC-3.0 GHz 6,35×9,5×1,5 ALN 20, 30 RFTXXN-150AJ9563-3G
DC-3.0 GHz 6,35×9,5×1,5 ALN 20, 30 RFTXXN-150AJ9563T-3G
DC-3.0 GHz 9,5×9,5×1,5 ALN
BeO
03
30
RFT03N-150AM9595B-3G
RFT30-150AM9595B-3G
DC-3.0 GHz 10,0×10,0×1,5 BeO 25, 30dB RFTXX-150AM1010-3G
DC-6.0GHz 10,0×10,0×1,5 BeO 01-10, 15, 17-24 RFTXX-150AM1010-6G
250W DC-1,5 GHz 10,0×10,0×1,5 BeO 01-03, 20, 30 RFTXX-250AM1010-1.5G
300W DC-1,5 GHz 10,0×10,0×1,5 BeO 01-03, 30 RFTXX-300AM1010-1.5G

  • Trước:
  • Kế tiếp:

  • Viết tin nhắn của bạn ở đây và gửi cho chúng tôi