các sản phẩm

Các sản phẩm

RFT50-10CT0404 Đầu cuối chip


  • Người mẫu:RFT50-10CT0404
  • Dải tần số:DC~10.0GHz
  • Quyền lực:10 W
  • Phạm vi điện trở:50 Ω
  • Khả năng chịu đựng điện trở:±5%
  • VSWR:DC~6.0GHz 1.20MaxDC~10.0GHz 1.30Max
  • Hệ số nhiệt độ: <150ppm>
  • Vật liệu nền:BeO
  • Công nghệ kháng cự:Màng dày
  • Nhiệt độ hoạt động:-55 đến +155°C (Xem phần Giảm công suất)
  • Chi tiết sản phẩm

    Thẻ sản phẩm

    Người mẫu RFT50-10CT0404
    Dải tần số DC~10.0GHz
    Quyền lực 10 W
    Phạm vi điện trở 50 Ω
    Khả năng chịu đựng ±5%
    VSWR DC~6.0GHz 1.20MaxDC~10.0GHz 1.30Max
    Hệ số nhiệt độ <150ppm/℃
    Vật liệu nền BeO
    Công nghệ kháng cự Màng dày
    Nhiệt độ hoạt động -55 đến +155°C (Xem phần Giảm công suất)

    Hiệu năng tiêu biểu:

    1
    2

    Phương pháp cài đặt

    Giảm công suất

    3
    4

    Biểu đồ thời gian và nhiệt độ nung chảy:

    5

    Mã số linh kiện (P/N)

    1

    Những vấn đề cần chú ý

    ■ Sau khi thời gian bảo quản các bộ phận mới mua vượt quá 6 tháng, cần chú ý đến khả năng hàn của chúng trước khi sử dụng. Nên bảo quản trong bao bì hút chân không.
    ■ Khoan lỗ nóng trên mạch in và đổ đầy chất hàn.
    ■ Hàn chảy lại (reflow welding) được ưu tiên sử dụng cho hàn đáy, xem phần Giới thiệu về hàn chảy lại.
    ■ Bổ sung hệ thống làm mát bằng không khí hoặc bằng nước nếu cần thiết.
    ◆ Mô tả:
    ■ Có sẵn các bộ suy giảm RF, điện trở RF và đầu nối RF được thiết kế theo yêu cầu riêng.


  • Trước:
  • Kế tiếp: